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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
27
周辺 -23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
22
読み出し速度、GB/s
16.7
17.7
書き込み速度、GB/秒
11.8
13.1
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3232
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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