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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.1
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
29
読み出し速度、GB/s
16.7
17.1
書き込み速度、GB/秒
11.8
13.0
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3384
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F24SB8GH 8GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
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