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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
19.9
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
28
読み出し速度、GB/s
16.7
19.9
書き込み速度、GB/秒
11.8
15.1
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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