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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
34
周辺 21% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
34
読み出し速度、GB/s
16.7
16.7
書き込み速度、GB/秒
11.8
14.8
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3284
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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