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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
39
周辺 31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
13
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
39
読み出し速度、GB/s
16.7
13.0
書き込み速度、GB/秒
11.8
13.5
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
2808
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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