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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
33
周辺 18% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
11.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
33
読み出し速度、GB/s
16.7
16.1
書き込み速度、GB/秒
11.8
11.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3084
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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