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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 15.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2866

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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メモリRAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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