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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 10% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3373

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Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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メモリRAM
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Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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