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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.4 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 16.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3929

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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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