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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 4% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
19
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.6
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
28
読み出し速度、GB/s
16.7
19.0
書き込み速度、GB/秒
11.8
15.6
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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