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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 32
    周辺 16% 低遅延
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    22.6 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 22.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3837

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メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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