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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 51
    周辺 47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 5.5
    テスト平均値
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 51
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 10.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 5.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 1941

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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
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Kingston 9905701-132.A00G 16GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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