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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
37
周辺 27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
15.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
11.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
37
読み出し速度、GB/s
16.7
15.4
書き込み速度、GB/秒
11.8
11.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
2765
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
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