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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 32
    周辺 16% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3007

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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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