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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 10% 低遅延
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3093

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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