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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 23% 低遅延
Kingston XVTW4H-MIE 32GB 考慮すべき理由
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3489

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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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