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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Maxsun MSD48G30M3 8GB

Maxsun MSD48G30M3 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 33
    周辺 18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 11.6
    テスト平均値
Maxsun MSD48G30M3 8GB 考慮すべき理由
Maxsun MSD48G30M3 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3105

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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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