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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
30
周辺 10% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
16.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
11.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
30
読み出し速度、GB/s
16.7
16.5
書き込み速度、GB/秒
11.8
14.2
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3506
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-009.A00LF 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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