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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
37
周辺 27% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
19.5
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
11.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
37
読み出し速度、GB/s
16.7
19.5
書き込み速度、GB/秒
11.8
12.4
メモリ帯域幅、mbps
21300
25600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3355
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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