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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 55
    周辺 51% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB 考慮すべき理由
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19 left arrow 16.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 55
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 19.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2239

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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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