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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 33
    周辺 18% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3482

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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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