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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 29
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 9.5
    テスト平均値
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2655

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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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