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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 50
    周辺 46% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 10.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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