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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 48
    周辺 44% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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メモリRAM
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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