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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
45
周辺 40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
45
読み出し速度、GB/s
16.7
11.6
書き込み速度、GB/秒
11.8
8.5
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
2036
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAMの比較
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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