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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 15.8
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2927

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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メモリRAM
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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