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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 37
    周辺 27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 15.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2314

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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
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Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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メモリRAM
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