RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

総合得点
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 36
    周辺 25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.9
    テスト平均値
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2588

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB RAMの比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
メモリRAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
メモリRAM