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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.9
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.0
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
27
読み出し速度、GB/s
16.7
18.9
書き込み速度、GB/秒
11.8
16.0
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3741
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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