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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 4% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.8 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 18.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 17.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3838

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Crucial Technology CT102464BF1339.M16 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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