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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB 考慮すべき理由
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 27
    周辺 -4% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 3068

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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBSR 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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メモリRAM
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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