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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 40
    周辺 33% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 16.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Kingston KCDT82-MIE 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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