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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
66
周辺 47% 低遅延
考慮すべき理由
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.9
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
7.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
66
読み出し速度、GB/s
9.8
13.9
書き込み速度、GB/秒
7.9
13.2
メモリ帯域幅、mbps
17000
25600
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2429
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