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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
35
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.1
7.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
32
読み出し速度、GB/s
9.8
20.7
書き込み速度、GB/秒
7.9
16.1
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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