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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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考慮すべき理由
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
35
周辺 -30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.8
7.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
27700
17000
周辺 1.63 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
27
読み出し速度、GB/s
9.8
18.5
書き込み速度、GB/秒
7.9
15.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
27700
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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