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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
57
周辺 39% 低遅延
考慮すべき理由
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
19.4
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.7
7.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
57
読み出し速度、GB/s
9.8
19.4
書き込み速度、GB/秒
7.9
9.7
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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