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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

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Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

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相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 35
    周辺 -67% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.4 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 7.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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