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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 29
    周辺 10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.0 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    17.7 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    14.0 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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