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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
37
周辺 27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
9.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
7.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
37
読み出し速度、GB/s
14.6
9.1
書き込み速度、GB/秒
10.5
7.6
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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