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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB 考慮すべき理由
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 34
    周辺 -10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.1 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 5.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    8.6 left arrow 19.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.8 left arrow 15.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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