Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

総合得点

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

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G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 29

周辺 -21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.9 12.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.8 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 24
読み出し速度、GB/s

12.1 17.9
書き込み速度、GB/秒

7.8 14.8
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2177 3231

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

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Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB

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