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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
29
周辺 10% 低遅延
考慮すべき理由
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
29
読み出し速度、GB/s
12.3
16.9
書き込み速度、GB/秒
7.4
12.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1678
3208
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