Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

総合得点

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 30

周辺 10% 低遅延

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.5 10.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.8 6.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 30
読み出し速度、GB/s

10.1 16.5
書き込み速度、GB/秒

6.2 12.8
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1411 3158

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

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Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB

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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB

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