RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
比較する
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
総合得点
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
総合得点
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
28
周辺 7% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
11.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
28
読み出し速度、GB/s
11.9
14.4
書き込み速度、GB/秒
7.6
7.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1610
2690
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAMの比較
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link