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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
総合得点
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
5
18.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,160.7
13.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
43
周辺 -54% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
28
読み出し速度、GB/s
5,987.5
18.1
書き込み速度、GB/秒
2,160.7
13.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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