RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB 考慮すべき理由
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
バグを報告する
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 57
    周辺 -148% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.0 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    57 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 7.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1244 left arrow 2103

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
メモリRAM