RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 57
    周辺 53% 低遅延
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.1 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 57
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 19.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2418 left arrow 2377

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAMの比較

Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
メモリRAM