RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston KMKYF9-MIB 8GB

Kingston KMKYF9-MIB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB 考慮すべき理由
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 35
    周辺 49% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 10.0
    テスト平均値
Kingston KMKYF9-MIB 8GB 考慮すべき理由
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    18 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    17.7 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.1 left arrow 10.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2926 left arrow 2434

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAMの比較

Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB

Kingston KMKYF9-MIB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM