RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB 考慮すべき理由
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 35
    周辺 49% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 13.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 10.3
    テスト平均値
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    18 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    17.7 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.1 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2926 left arrow 2155

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAMの比較

Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAMの比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
メモリRAM