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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
比較する
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
総合得点
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
56
周辺 68% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
10.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
20.1
17.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
18
56
読み出し速度、GB/s
17.7
20.1
書き込み速度、GB/秒
13.1
10.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2926
2455
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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